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HBM模式下静电放电试验介绍

2012-08-29 14:06:18  来源:摩尔实验室  浏览次数:595  文字大小:【】【】【
关键字:HBM 静电放电

    人体放电模式(Human-Body Model, HBM)产生的ESD是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上的静电便会导入到所接触的设备中。HBM的ESD模型是建立最早和最主要的模拟静电测试模型,其模拟了当带电的人体接触或靠近静电敏感器件(ESDS)时,该元器件有可能被直接的静电放电或静电场损坏。

    根据工业标准 (MIL-STD-883G method 3015.7)要求,其中人体的等效电容定为100pF,人体的等效放电电阻定为1.5KΩ。

    人体模型(HBM)遵循的标准

    MIL-STD-833G Method 3015.7; EIA/JESD22-A114-C.01 (JEDEC, 1997)。

    HBM静电敏感度分级:

               

    HBM放电的原理框图如下图:

             

    HBM放电电流波形参数:

      
 
    Tri:脉冲上升时间小于10ns;Tdi:脉冲延迟时间150±20ns;IP:峰值电流

    HBM试验步骤:

    (1)准备好被测样品的规格书,内容要包括其PIN脚的定义图。一般分类有四种:电源,地,输入和输出四大类;

    (2)我们需要准备一个连接器,此连接器焊在PCB上,并从PCB上引出PIN用于插在测试仪器的PIN槽;

    (3)准备好需要的样品数;

    (4)准备好需要测试模块参数性能的仪器;

    HBM静电放电故障判断:

    静电敏感器件(ESDS)经ESD测试后,要判断是否已被破坏,以便决定是否要再经一部测试下去,但是如何判定该静电敏感器件(ESDS)已被ESD所损坏了呢?常见的有下述三种方法:

    (1)绝对漏电流:当静电敏感器件(ESDS)被ESD测试后,其I/O脚的漏电电流超过1uA(或10uA)。漏电电流会随所加的偏压大小增加而增加,在测漏电电流时所加的偏压有人用5.5V(VDD×1.1),也有人用7V(VDD×1.4)。

    (2)相对I-V漂移:当静电敏感器件(ESDS)被ESD测试后,自I/O脚看进入静电敏感器件(ESDS)内部的I-V特性曲线漂移量在30%(20%或40%)。

    (3)功能观测法:先把正常且符合规格值静电敏感器件(ESDS)的每一只脚依测试组合打上某一电压准位的ESD测试电压,再拿去测试是否符合原来的规格。

    摩尔实验室(MORLAB)在深圳,上海,成都等地均开展了此项测试业务,如有需要可联系就近的摩尔实验室相关人员。

    如需更多资料,请发信到以下地址:info_cd@morlab.cn或致电:028-85147866。

编辑:lp.chen


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